Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NVMYS014N06CLTWG
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NVMYS014N06CLTWG-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Hàng tồn kho:
7137 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12842920
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
UDCm
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NVMYS014N06CLTWG Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
12A (Ta), 36A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
15mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 25µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
620 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.8W (Ta), 37W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
LFPAK4 (5x6)
Gói / Trường hợp
SOT-1023, 4-LFPAK
Số sản phẩm cơ sở
NVMYS014
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
NVMYS014N06CLTWGOSTR
NVMYS014N06CLTWGOS
NVMYS014N06CLTWGOS-DG
NVMYS014N06CLTWGOSCT
NVMYS014N06CLTWGOSDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NVMFS5C450NAFT3G
MOSFET N-CH 40V 24A/102A 5DFN
NVTFS5811NLWFTAG
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
NTP8G206NG
GANFET N-CH 600V 17A TO220-3