Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NVMYS8D0N04CTWG
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NVMYS8D0N04CTWG-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 40 V 16A (Ta), 49A (Tc) 3.8W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Hàng tồn kho:
12856652
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NVMYS8D0N04CTWG Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
40 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
16A (Ta), 49A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 30µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
625 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.8W (Ta), 38W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
LFPAK4 (5x6)
Gói / Trường hợp
SOT-1023, 4-LFPAK
Số sản phẩm cơ sở
NVMYS8
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
NVMYS8D0N04CTWGOSTR
NVMYS8D0N04CTWGOSCT
NVMYS8D0N04CTWGOSDKR
NVMYS8D0N04CTWGOS
NVMYS8D0N04CTWGOS-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
NTMYS8D0N04CTWG
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
NTMYS8D0N04CTWG-DG
ĐƠN GIÁ
1.18
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NTHS5445T1
MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
NTD6600NT4
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
NVMFS5C450NWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 24A/102A 5DFN
