SMUN5112DW1T1G
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

SMUN5112DW1T1G

Product Overview

Nhà sản xuất:

onsemi

DiGi Electronics Số hiệu phần:

SMUN5112DW1T1G-DG

Mô tả:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Hàng tồn kho:

12857934
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

SMUN5112DW1T1G Thông số kỹ thuật

Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
22kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
22kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
-
Công suất - Tối đa
250mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị nhà cung cấp
SC-88/SC70-6/SOT-363
Số sản phẩm cơ sở
SMUN5112

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
2832-SMUN5112DW1T1GTR

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
onsemi

NSVEMC2DXV5T1G

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553

panasonic

XP0121100L

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5

onsemi

NSBC124EDP6T5G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963

onsemi

SMUN5237DW1T1G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363