Số sản phẩm của nhà sản xuất:
SMUN5235DW1T1G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
SMUN5235DW1T1G-DG
Mô tả:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Hàng tồn kho:
29980 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12842700
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
SMUN5235DW1T1G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
2.2kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
47kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
-
Công suất - Tối đa
187mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị nhà cung cấp
SC-88/SC70-6/SOT-363
Số sản phẩm cơ sở
SMUN5235
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
SMUN5235DW1T1GOSTR
SMUN5235DW1T1G-DG
SMUN5235DW1T1GOSCT
2156-SMUN5235DW1T1G-488
SMUN5235DW1T1GOSDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMC564010R
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
DMC561010R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5
DMC9640N0R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.125W SMINI6
