Số sản phẩm của nhà sản xuất:
SS9011HBU
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
SS9011HBU-DG
Mô tả:
TRANS NPN 30V 0.03A TO92-3
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 30 mA 2MHz 400 mW Through Hole TO-92-3
Hàng tồn kho:
12857645
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
pIxS
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
SS9011HBU Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
30 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
30 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
97 @ 1mA, 5V
Công suất - Tối đa
400 mW
Tần số - Chuyển đổi
2MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92-3
Số sản phẩm cơ sở
SS9011
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NJVMJD45H11G
TRANS PNP 80V 8A DPAK
NJVMJD45H11T4G-VF01
TRANS PNP 80V 8A DPAK
SBC856BLT3G
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3