Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SC5585E3TL
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SC5585E3TL-DG
Mô tả:
NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V 500 mA 320MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Hàng tồn kho:
3000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13004438
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SC5585E3TL Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
500 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
12 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
270 @ 10mA, 2V
Công suất - Tối đa
150 mW
Tần số - Chuyển đổi
320MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SC-75, SOT-416
Gói thiết bị nhà cung cấp
EMT3
Số sản phẩm cơ sở
2SC5585
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
846-2SC5585E3TLDKR
846-2SC5585E3TLTR
846-2SC5585E3TLCT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
