Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DTD713ZMT2L
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DTD713ZMT2L-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30 V 200 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Hàng tồn kho:
13523921
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DTD713ZMT2L Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Định Sẵn Đơn
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Not For New Designs
Loại bóng bán dẫn
NPN - Pre-Biased
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
200 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
30 V
Điện trở - Đế (R1)
1 kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
10 kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 2V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
260 MHz
Công suất - Tối đa
150 mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SOT-723
Gói thiết bị nhà cung cấp
VMT3
Số sản phẩm cơ sở
DTD713
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
8,000
Tên khác
DTD713ZMT2L-ND
DTD713ZMT2LTR
DTD713ZMT2LCT
DTD713ZMT2LDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DTA115ECAT116
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
DTDG23YPT100
TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
DTA143ESATP
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SPT
