Số sản phẩm của nhà sản xuất:
EMB11FHAT2R
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
EMB11FHAT2R-DG
Mô tả:
TRANS 2PNP 100MA EMT6
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Hàng tồn kho:
3380 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13523974
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
EMB11FHAT2R Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Not For New Designs
Loại bóng bán dẫn
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
-
Điện trở - Đế (R1)
10kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
10kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
-
Tần số - Chuyển đổi
250MHz
Công suất - Tối đa
150mW
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SOT-563, SOT-666
Gói thiết bị nhà cung cấp
EMT6
Số sản phẩm cơ sở
EMB11
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
8,000
Tên khác
EMB11FHAT2RDKR
EMB11FHAT2RCT
EMB11FHAT2RTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
