Số sản phẩm của nhà sản xuất:
HS8K11TB
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
HS8K11TB-DG
Mô tả:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
Hàng tồn kho:
1372 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13524843
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
HS8K11TB Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
7A, 11A
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
17.9mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
500pF @ 15V
Công suất - Tối đa
2W
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
8-UDFN Exposed Pad
Gói thiết bị nhà cung cấp
HSML3030L10
Số sản phẩm cơ sở
HS8K11
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
HS8K11TBDKR
HS8K11TBCT
HS8K11TBTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
SM6K2T110
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
SH8K41GZETB
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
TT8M3TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
