Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IMH10AT110
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IMH10AT110-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Hàng tồn kho:
18978 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13523805
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IMH10AT110 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Not For New Designs
Loại bóng bán dẫn
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
2.2kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
47kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
250MHz
Công suất - Tối đa
300mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SC-74, SOT-457
Gói thiết bị nhà cung cấp
SMT6
Số sản phẩm cơ sở
IMH10
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
Q3507170BA
IMH10AT110TR
IMH10AT110CT
IMH10AT110DKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
RN1605TE85LF
NHÀ SẢN XUẤT
Toshiba Semiconductor and Storage
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
73
DiGi SỐ PHẦN
RN1605TE85LF-DG
ĐƠN GIÁ
0.04
Loại thay thế
Direct
SỐ PHẦN
PIMH9,115
NHÀ SẢN XUẤT
Nexperia USA Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
3000
DiGi SỐ PHẦN
PIMH9,115-DG
ĐƠN GIÁ
0.04
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
