Số sản phẩm của nhà sản xuất:
QH8M22TCR
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
QH8M22TCR-DG
Mô tả:
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 40V 4.5A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Hàng tồn kho:
18281 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13526163
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
QH8M22TCR Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
N and P-Channel
Tính năng FET
-
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
40V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.5A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Công suất - Tối đa
1.1W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
8-SMD, Flat Lead
Gói thiết bị nhà cung cấp
TSMT8
Số sản phẩm cơ sở
QH8M22
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
QH8M22TCRTR
QH8M22TCRCT
QH8M22TCRDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
US6M2GTR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
SP8K3FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP