Số sản phẩm của nhà sản xuất:
QS5U13TR
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
QS5U13TR-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Hàng tồn kho:
2999 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13525925
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
QS5U13TR Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
175 pF @ 10 V
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.25W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TSMT5
Gói / Trường hợp
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Số sản phẩm cơ sở
QS5U13
Tài liệu và Hồ sơ
Tài nguyên thiết kế
Tài liệu về độ tin cậy
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
QS5U13DKR
QS5U13CT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
QS5U12TR
NHÀ SẢN XUẤT
Rohm Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2608
DiGi SỐ PHẦN
QS5U12TR-DG
ĐƠN GIÁ
0.20
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RDD020N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
RD3H080SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 8A TO252
RDD050N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
