Số sản phẩm của nhà sản xuất:
R6004JND3TL1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
R6004JND3TL1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252
Hàng tồn kho:
2500 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13525129
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
R6004JND3TL1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
15V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.43Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
7V @ 450µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
10.5 nC @ 15 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
260 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
60W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
R6004
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
R6004JND3TL1DKR
R6004JND3TL1CT
R6004JND3TL1TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RD3L080SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
RSD200N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
RSS110N03TB
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP