Số sản phẩm của nhà sản xuất:
R6006JNJGTL
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
R6006JNJGTL-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount LPTS
Hàng tồn kho:
1098 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13527337
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
R6006JNJGTL Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
15V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
7V @ 800µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
410 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
86W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
LPTS
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
R6006
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
R6006JNJGTLTR
R6006JNJGTLCT
R6006JNJGTLDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
R6020JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
QS5U23TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
RZR025P01TL
MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
