Số sản phẩm của nhà sản xuất:
R6015ENJTL
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
R6015ENJTL-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS
Hàng tồn kho:
4 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13527387
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
tuJn
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
R6015ENJTL Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
15A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
910 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
40W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
LPTS
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
R6015
Tài liệu và Hồ sơ
Tài nguyên thiết kế
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
R6015ENJTLTR
R6015ENJTLCT
R6015ENJTLDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
TK14G65W,RQ
NHÀ SẢN XUẤT
Toshiba Semiconductor and Storage
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
3525
DiGi SỐ PHẦN
TK14G65W,RQ-DG
ĐƠN GIÁ
0.93
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STB25N80K5
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
630
DiGi SỐ PHẦN
STB25N80K5-DG
ĐƠN GIÁ
2.75
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RQ5E025SNTL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
RD3S100CNTL1
MOSFET N-CH 190V 10A TO252
RSR020P05FRATL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
