Số sản phẩm của nhà sản xuất:
R6507KNJTL
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
R6507KNJTL-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Mô tả chi tiết:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount LPTS
Hàng tồn kho:
80 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12851422
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
R6507KNJTL Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
650 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
7A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 200µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
470 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
78W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
LPTS
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
R6507
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
846-R6507KNJTLTR
846-R6507KNJTLDKR
846-R6507KNJTLCT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
R6011KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
FDMS3006SDC
MOSFET N-CH 30V 34A DUAL COOL56
FDMA037N08LC
MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
