Trang chủ
Sản phẩm
Nhà sản xuất
Giới thiệu DiGi
Liên hệ với chúng tôi
Blog và bài viết
Yêu cầu báo giá
Vietnam
Đăng nhập
Ngôn ngữ chọn lọc
Ngôn ngữ hiện tại của bạn:
Vietnam
Chuyển đổi:
Tiếng Anh
Châu Âu
Vương quốc Anh
Pháp
Tây Ban Nha
Gà tây
Moldova
Litva
Na Uy
Đức
Bồ Đào Nha
Slovakia
ltaly
Phần Lan
Tiếng Nga
Bulgaria
Đan Mạch
Estonia
Ba Lan
Ukraina
Slovenia
Séc
Tiếng Hy Lạp
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Hà Lan
Thụy Điển
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Tiếng Hung-ga-ri
Romania
Áo
Bỉ
Ireland
Châu Á / Thái Bình Dương
Trung Quốc
Việt Nam
Indonesia
Thái Lan
Lào
Philippines
Malaysia
Hàn Quốc
Nhật Bản
Hongkong
Đài Loan
Singapore
Pakistan
Ả Rập Xê Út
Qatar
Kuwait
Campuchia
Myanmar
Châu Phi, Ấn Độ và Trung Đông
Các Tiểu vương quốc Ả Rập Thống nhất
Tajikistan
Madagascar
Ấn Độ
Iran
Cộng hòa Dân chủ Congo
Nam Phi
Ai Cập
Kenya
Tanzania
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisia
Nam Mỹ / Châu Đại Dương
New Zealand
Angola
Brasil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Úc
Bắc Mỹ
Hoa Kỳ
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Giới thiệu DiGi
Về Chúng Tôi
Về Chúng Tôi
Chứng Nhận Của Chúng Tôi
DiGi Giới thiệu
Tại sao DiGi
Chính sách
Chính sách chất lượng
Điều khoản sử dụng
Tuân thủ RoHS
Quy trình Trả hàng
Tài nguyên
Danh mục sản phẩm
Nhà sản xuất
Blog và bài viết
Dịch vụ
Bảo hành chất lượng
Cách Thanh Toán
Giao hàng toàn cầu
Giá vận chuyển
Câu hỏi thường gặp
Số sản phẩm của nhà sản xuất:
R8010ANX
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
R8010ANX-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Mô tả chi tiết:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Hàng tồn kho:
Yêu cầu báo giá Trực tuyến
13524383
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
*
Công ty
*
Tên Liên Hệ
*
Điện thoại
*
E-mail
Địa chỉ giao hàng
Tin nhắn
(
*
) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
R8010ANX Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
800 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
10A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
560mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1750 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
40W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220FM
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
R8010
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
R8010ANX
Tài liệu về độ tin cậy
TO220FM MOS Reliability Test
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
500
Tên khác
R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
SPA11N80C3XKSA1
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2180
DiGi SỐ PHẦN
SPA11N80C3XKSA1-DG
ĐƠN GIÁ
1.26
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
TK7A60W,S4VX
NHÀ SẢN XUẤT
Toshiba Semiconductor and Storage
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
50
DiGi SỐ PHẦN
TK7A60W,S4VX-DG
ĐƠN GIÁ
0.72
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STF11N60M2-EP
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
998
DiGi SỐ PHẦN
STF11N60M2-EP-DG
ĐƠN GIÁ
0.67
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STF10NM60ND
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
378
DiGi SỐ PHẦN
STF10NM60ND-DG
ĐƠN GIÁ
0.87
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
R8009KNXC7G
NHÀ SẢN XUẤT
Rohm Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1871
DiGi SỐ PHẦN
R8009KNXC7G-DG
ĐƠN GIÁ
1.74
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RTQ020N03TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RSH070P05GZETB
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
RVQ040N05TR
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
R6024ENJTL
MOSFET N-CH 600V 24A LPTS