Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RP1E090XNTCR
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RP1E090XNTCR-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Hàng tồn kho:
13524340
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RP1E090XNTCR Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
9A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
6.8 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
440 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
MPT6
Gói / Trường hợp
6-SMD, Flat Leads
Số sản phẩm cơ sở
RP1E090
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
RP1E090XNTCRCT
RP1E090XNTCRDKR
RP1E090XNTCRTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RSD080P05TL
MOSFET P-CH 45V 8A CPT3
RZF013P01TL
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
RS1E280BNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
