Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RS6L090BGTB1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RS6L090BGTB1-DG
Mô tả:
NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Hàng tồn kho:
2206 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12990010
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RS6L090BGTB1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
90A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1950 pF @ 30 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3W (Ta), 73W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-HSOP
Gói / Trường hợp
8-PowerTDFN
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
846-RS6L090BGTB1CT
846-RS6L090BGTB1DKR
846-RS6L090BGTB1TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RS6P060BHTB1
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
RD3L03BBGTL1
NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
DMTH45M5LPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506