Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RT1A045APTCR
Product Overview
Nhà sản xuất:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RT1A045APTCR-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
Mô tả chi tiết:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Hàng tồn kho:
13527013
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RT1A045APTCR Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Not For New Designs
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
12 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
-8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4200 pF @ 6 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
650mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-TSST
Gói / Trường hợp
8-SMD, Flat Lead
Số sản phẩm cơ sở
RT1A045
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài nguyên thiết kế
Tài liệu về độ tin cậy
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
RT1A045APTCRDKR
RT1A045APTCRCT
RT1A045APTCRTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
RT1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
RQ6E040XNTCR
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
