Số sản phẩm của nhà sản xuất:
SMA5127
Product Overview
Nhà sản xuất:
Sanken Electric USA Inc.
DiGi Electronics Số hiệu phần:
SMA5127-DG
Mô tả:
MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12SIP
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 60V 4A 4W Through Hole 12-SIP
Hàng tồn kho:
13561661
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
SMA5127 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
Sanken Electric Co., Ltd.
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Tính năng FET
-
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4A
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
550mOhm @ 2A, 4V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
150pF @ 10V, 320pF @ 10V
Công suất - Tối đa
4W
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
12-SIP
Gói thiết bị nhà cung cấp
12-SIP
Số sản phẩm cơ sở
SMA51
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
18
Tên khác
SMA5127 DK
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
RoHS Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
