Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SC2812-7-TB-E
Product Overview
Nhà sản xuất:
Sanyo
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SC2812-7-TB-E-DG
Mô tả:
NPN SILICON TRANSISTOR
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 200 mW Surface Mount 3-CP
Hàng tồn kho:
402000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12968496
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SC2812-7-TB-E Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
150 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
300 @ 1mA, 6V
Công suất - Tối đa
200 mW
Tần số - Chuyển đổi
100MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
3-CP
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,210
Tên khác
ONSSNY2SC2812-7-TB-E
2156-2SC2812-7-TB-E
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BC857-QVL
TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB
BCX55-10E6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BC487
TRANS GP BJT NPN 60V 0.5A
