Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SC3591
Product Overview
Nhà sản xuất:
Sanyo
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SC3591-DG
Mô tả:
NPN SILICON TRANSISTOR
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 7 A 40MHz 50 W Through Hole TO-220AB
Hàng tồn kho:
8000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12968559
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SC3591 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
7 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
200 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
800mV @ 500mA, 5A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
15 @ 1A, 1V
Công suất - Tối đa
50 W
Tần số - Chuyển đổi
40MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
-
Trình độ chuyên môn
-
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220AB
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
365
Tên khác
ONSSNY2SC3591
2156-2SC3591
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
Not applicable
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SC3361-5-TB-E
BIP NPNP 0.15A 50V
2N3773V
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
PZTA14T3
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
