Số sản phẩm của nhà sản xuất:
NSS35200CF8T1G
Product Overview
Nhà sản xuất:
Sanyo
DiGi Electronics Số hiệu phần:
NSS35200CF8T1G-DG
Mô tả:
TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 635 mW Surface Mount ChipFET™
Hàng tồn kho:
15000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12948057
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
NSS35200CF8T1G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
2 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
35 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 20mA, 2A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
100 @ 1.5A, 2V
Công suất - Tối đa
635 mW
Tần số - Chuyển đổi
100MHz
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
8-SMD, Flat Lead
Gói thiết bị nhà cung cấp
ChipFET™
Số sản phẩm cơ sở
NSS35200
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
726
Tên khác
ONSSNYNSS35200CF8T1G
2156-NSS35200CF8T1G
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
NZT751
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, PN
ASS8550-H-HF
TRANS PNP 25V 1.5A SOT23-3
SS8050DTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,