Số sản phẩm của nhà sản xuất:
STF12N65M2
Product Overview
Nhà sản xuất:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Số hiệu phần:
STF12N65M2-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Mô tả chi tiết:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Hàng tồn kho:
366 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12877684
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
STF12N65M2 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
STMicroelectronics
Đóng gói
Tube
Loạt
MDmesh™ M2
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
650 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
8A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±25V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
535 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
25W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220FP
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
STF12
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
497-15531-5
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
STH260N6F6-6
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
STL17N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
STW37N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
