Số sản phẩm của nhà sản xuất:
STH180N10F3-6
Product Overview
Nhà sản xuất:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Số hiệu phần:
STH180N10F3-6-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Hàng tồn kho:
12879334
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
STH180N10F3-6 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
STMicroelectronics
Đóng gói
-
Loạt
STripFET™ III
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
180A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
6665 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
315W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
H2PAK-6
Gói / Trường hợp
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Số sản phẩm cơ sở
STH180
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
497-11840-6
-497-11840-6
STH180N10F36
-497-11840-2
497-11840-2
-497-11840-1
497-11840-1
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
STD30N6LF6AG
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STFI6N65K3
MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
STSJ50NH3LL
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOIC
