Số sản phẩm của nhà sản xuất:
STP11N52K3
Product Overview
Nhà sản xuất:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Số hiệu phần:
STP11N52K3-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 525V 10A TO220
Mô tả chi tiết:
N-Channel 525 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Hàng tồn kho:
564 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12875318
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
STP11N52K3 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
STMicroelectronics
Đóng gói
Tube
Loạt
SuperMESH3™
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
525 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
10A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
510mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1400 pF @ 50 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
125W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
STP11N
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
497-11870-5
-497-11870-5
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IXFP12N50P
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
300
DiGi SỐ PHẦN
IXFP12N50P-DG
ĐƠN GIÁ
1.71
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
IRFB13N50APBF
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1693
DiGi SỐ PHẦN
IRFB13N50APBF-DG
ĐƠN GIÁ
1.46
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
IRF740PBF
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1690
DiGi SỐ PHẦN
IRF740PBF-DG
ĐƠN GIÁ
0.76
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
STB24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
STW150NF55
MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
