Số sản phẩm của nhà sản xuất:
STP12NM50
Product Overview
Nhà sản xuất:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Số hiệu phần:
STP12NM50-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Hàng tồn kho:
756 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12877100
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
STP12NM50 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
STMicroelectronics
Đóng gói
Tube
Loạt
MDmesh™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
500 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
12A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
160W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-65°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
STP12
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
497-2666-5
1026-STP12NM50
497-2666-5-NDR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
