Số sản phẩm của nhà sản xuất:
STP28NM60ND
Product Overview
Nhà sản xuất:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Số hiệu phần:
STP28NM60ND-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Hàng tồn kho:
133 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12876305
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
STP28NM60ND Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
STMicroelectronics
Đóng gói
Tube
Loạt
FDmesh™ II
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
23A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
62.5 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±25V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2090 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
190W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
STP28
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
-497-14196-5
497-14196-5
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
STL3P6F6
MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT
STP11NM65N
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
STB36N60M6
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK