Số sản phẩm của nhà sản xuất:
STP5NK60Z
Product Overview
Nhà sản xuất:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Số hiệu phần:
STP5NK60Z-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Hàng tồn kho:
1103 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12947063
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
STP5NK60Z Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
STMicroelectronics
Đóng gói
Tube
Loạt
SuperMESH™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
5A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
690 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
90W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
STP5NK60
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
-497-3196-5
497-3196-5
497-3196-5-NDR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BS170-D26Z
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRFU5410PBF
IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO
FDPF10N60ZUT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
