Số sản phẩm của nhà sản xuất:
STP9NK65Z
Product Overview
Nhà sản xuất:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Số hiệu phần:
STP9NK65Z-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 650 V 6.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Hàng tồn kho:
12870519
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
STP9NK65Z Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
STMicroelectronics
Đóng gói
Tube
Loạt
SuperMESH™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
650 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6.4A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1145 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
125W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
STP9NK65
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IRFB9N65APBF
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
912
DiGi SỐ PHẦN
IRFB9N65APBF-DG
ĐƠN GIÁ
1.19
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
FCP4N60
NHÀ SẢN XUẤT
Fairchild Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1335
DiGi SỐ PHẦN
FCP4N60-DG
ĐƠN GIÁ
1.02
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
IXFP10N80P
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
242
DiGi SỐ PHẦN
IXFP10N80P-DG
ĐƠN GIÁ
2.72
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
STH320N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
STL130N6F7
MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
STH140N8F7-2
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
