Số sản phẩm của nhà sản xuất:
STY112N65M5
Product Overview
Nhà sản xuất:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Số hiệu phần:
STY112N65M5-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
Mô tả chi tiết:
N-Channel 650 V 96A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Hàng tồn kho:
600 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12879739
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
STY112N65M5 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
STMicroelectronics
Đóng gói
Tube
Loạt
MDmesh™ V
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
650 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
96A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
22mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±25V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
16870 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
625W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
MAX247™
Gói / Trường hợp
TO-247-3
Số sản phẩm cơ sở
STY112
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Tên khác
-1138-STY112N65M5
497-11236-5
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
STF260N4F7
MOSFET N-CH 40V 90A TO220FP
STP10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
STB200N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
