Số sản phẩm của nhà sản xuất:
CSD18532KCS
Product Overview
Nhà sản xuất:
Texas Instruments
DiGi Electronics Số hiệu phần:
CSD18532KCS-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
1360 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12815069
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
CSD18532KCS Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Texas Instruments
Đóng gói
Tube
Loạt
NexFET™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
100A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4680 pF @ 30 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
250W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
CSD18532
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Trang sản phẩm của nhà sản xuất
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
296-34941-5
-296-34941-5
-296-34941-5-DG
-CSD18532KCS-NDR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
CSD17575Q3T
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
IRF300P227
MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
EPC2001
GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
