Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SA1201-Y(TE12L,ZC
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SA1201-Y(TE12L,ZC-DG
Mô tả:
PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 800 mA 120MHz 500 mW Surface Mount PW-MINI
Hàng tồn kho:
788 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12988590
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SA1201-Y(TE12L,ZC Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
800 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
120 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Công suất - Tối đa
500 mW
Tần số - Chuyển đổi
120MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
TO-243AA
Gói thiết bị nhà cung cấp
PW-MINI
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCCT
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCTR
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCTR-DG
264-2SA1201-Y(TE12L,ZCDKR
264-2SA1201-Y(TE12LZCTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BC858W-QF
TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
BC817-40WHE3-TP
TRANS NPN 45V 0.5A SOT323
BC848CWHE3-TP
NPN TRANSISTORS, SOT-323
