Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SB1481(TOJS,Q,M)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SB1481(TOJS,Q,M)-DG
Mô tả:
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Hàng tồn kho:
12889863
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SB1481(TOJS,Q,M) Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
4 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
100 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
2µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
Công suất - Tối đa
2 W
Tần số - Chuyển đổi
-
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220NIS
Số sản phẩm cơ sở
2SB1481
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1
Tên khác
2SB1481(TOJSQM)
2SB1481TOJSQM
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SC6026MFV-Y,L3F
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
2SC2235-Y(T6CANOFM
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
2SC3225,T6ALPSF(M
TRANS NPN 40V 2A TO92MOD