Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SC3672-O(T2ASH,FM
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SC3672-O(T2ASH,FM-DG
Mô tả:
TRANS NPN 300V 0.1A MSTM
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 80MHz 1 W Through Hole MSTM
Hàng tồn kho:
12889707
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SC3672-O(T2ASH,FM Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
300 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Công suất - Tối đa
1 W
Tần số - Chuyển đổi
80MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
SC-71
Gói thiết bị nhà cung cấp
MSTM
Số sản phẩm cơ sở
2SC3672
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1
Tên khác
2SC3672-O(T2ASHFM
2SC3672OT2ASHFM
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SA1020-Y,T6NSF(J
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
2SA1428-Y,T2F(M
TRANS PNP 50V 2A MSTM
2SA1837,F(J
TRANS PNP 230V 1A TO220NIS