Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SC6010(T2MITUM,FM
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SC6010(T2MITUM,FM-DG
Mô tả:
TRANS NPN 600V 1A MSTM
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 1 A 1 W Through Hole MSTM
Hàng tồn kho:
12890096
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SC6010(T2MITUM,FM Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
1 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
600 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
1V @ 75mA, 600mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Công suất - Tối đa
1 W
Tần số - Chuyển đổi
-
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
SC-71
Gói thiết bị nhà cung cấp
MSTM
Số sản phẩm cơ sở
2SC6010
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1
Tên khác
2SC6010T2MITUMFM
2SC6010(T2MITUMFM
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SB1457(TE6,F,M)
TRANS PNP 100V 2A TO92MOD
BF420-BP
TRANS NPN 300V 0.1A TO92
2SA1020A,NSEIKIF(J
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
