Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SD2257(CANO,Q,M)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SD2257(CANO,Q,M)-DG
Mô tả:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Hàng tồn kho:
12891108
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
cN3S
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SD2257(CANO,Q,M) Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
3 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
100 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
10µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Công suất - Tối đa
2 W
Tần số - Chuyển đổi
-
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220NIS
Số sản phẩm cơ sở
2SD2257
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1
Tên khác
2SD2257CANOQM
2SD2257(CANOQM)
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SA1955FVATPL3Z
TRANS PNP 12V 0.4A CST3
2SC3668-Y,F2PANF(J
TRANS NPN 50V 2A MSTM
2SA1163-GR,LF
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
