Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SK2231(TE16R1,NQ)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SK2231(TE16R1,NQ)-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Hàng tồn kho:
12889782
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
4qCD
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SK2231(TE16R1,NQ) Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
370 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
20W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PW-MOLD
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
2SK2231
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,000
Tên khác
2SK2231TE16RQTR
2SK2231 (TE16R1,NQ)
2SK2231TE16RQCT
2SK2231TE16RQDKR
2SK2231TE16R1NQ
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
RoHS Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
TK25S06N1L,LQ
NHÀ SẢN XUẤT
Toshiba Semiconductor and Storage
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1488
DiGi SỐ PHẦN
TK25S06N1L,LQ-DG
ĐƠN GIÁ
0.35
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
SSM3J355R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K339R,LF
MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
