Số sản phẩm của nhà sản xuất:
HN1B01FU-Y,LXHF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
HN1B01FU-Y,LXHF-DG
Mô tả:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6
Hàng tồn kho:
5878 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12966894
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
HN1B01FU-Y,LXHF Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
-
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
150mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Công suất - Tối đa
200mW
Tần số - Chuyển đổi
120MHz, 150MHz
Nhiệt độ hoạt động
-
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị nhà cung cấp
US6
Số sản phẩm cơ sở
HN1B01
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
264-HN1B01FU-YLXHFDKR
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR
264-HN1B01FU-YLXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT-DG
264-HN1B01FU-YLXHFTR
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
HN1A01FE-GR,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
HN1C01FE-Y,LXHF
AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
HN1B04FE-Y,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50