Số sản phẩm của nhà sản xuất:
HN1B04FE-Y,LF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
HN1B04FE-Y,LF-DG
Mô tả:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Hàng tồn kho:
5 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12891445
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
HN1B04FE-Y,LF Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN, PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
150mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Công suất - Tối đa
100mW
Tần số - Chuyển đổi
80MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SOT-563, SOT-666
Gói thiết bị nhà cung cấp
ES6
Số sản phẩm cơ sở
HN1B04
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
HN1B04FE-YLF(TTR-DG
HN1B04FE-Y(T5LFTDKR-DG
HN1B04FE-YLF(TDKR
HN1B04FE-Y,LF(T
HN1B04FE-YLF(TTR
HN1B04FE-Y(T5LFTTR
HN1B04FE-Y(T5LFTTR-DG
HN1B04FE-YLFDKR
HN1B04FE-Y(T5LFTCT-DG
HN1B04FE-YLF(TCT-DG
HN1B04FE-YLFCT
HN1B04FE-YLF(TDKR-DG
HN1B04FE-Y(T5LFTCT
HN1B04FE-Y(T5L,F,T
HN1B04FE-Y(T5LFTDKR
HN1B04FE-YLFTR
HN1B04FE-YLF(TCT
HN1B04FE-Y,LF(B
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMMT5551S-7-F
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
2SA1873-Y(TE85L,F)
TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
HN1A01FU-GR,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
