Số sản phẩm của nhà sản xuất:
HN1C01FE-Y,LF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
HN1C01FE-Y,LF-DG
Mô tả:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Hàng tồn kho:
12889566
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
HN1C01FE-Y,LF Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 NPN (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
150mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Công suất - Tối đa
100mW
Tần số - Chuyển đổi
80MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SOT-563, SOT-666
Gói thiết bị nhà cung cấp
ES6
Số sản phẩm cơ sở
HN1C01
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
HN1C01FE-Y(T5LFTDKR
HN1C01FE-Y(T5LFTTR
HN1C01FE-Y,LF(T
HN1C01FE-YLFCT
HN1C01FE-Y,LF(B
HN1C01FE-YLFTR
HN1C01FE-YLFDKR
HN1C01FE-Y(T5LFTCT
HN1C01FE-Y(T5LFTDKR-DG
HN1C01FE-Y(T5L,F,T
HN1C01FE-Y(T5LFTCT-DG
HN1C01FE-Y(T5LFTTR-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN1C03FU-A(TE85L,F
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
