Số sản phẩm của nhà sản xuất:
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
HN2A01FU-Y(TE85L,F-DG
Mô tả:
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
Hàng tồn kho:
2273 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12890480
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
HN2A01FU-Y(TE85L,F Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Cut Tape (CT)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 PNP (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
150mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Công suất - Tối đa
200mW
Tần số - Chuyển đổi
80MHz
Nhiệt độ hoạt động
125°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị nhà cung cấp
US6
Số sản phẩm cơ sở
HN2A01
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
HN2A01FU-Y(TE85LFCT
HN2A01FU-Y(TE85LFDKR
HN2A01FU-Y(TE85LFTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
RoHS Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TPCP8901(TE85L,F,M
TRANS NPN/PNP 50V 1A PS8
HN1B04F(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
TPCP8701(TE85L,F,M
TRANS 2NPN 80V 3A PS8
