HN2A01FU-Y(TE85L,F
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Product Overview

Nhà sản xuất:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Số hiệu phần:

HN2A01FU-Y(TE85L,F-DG

Mô tả:

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6

Hàng tồn kho:

2273 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12890480
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

HN2A01FU-Y(TE85L,F Thông số kỹ thuật

Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Cut Tape (CT)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 PNP (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
150mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Công suất - Tối đa
200mW
Tần số - Chuyển đổi
80MHz
Nhiệt độ hoạt động
125°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị nhà cung cấp
US6
Số sản phẩm cơ sở
HN2A01

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
HN2A01FU-Y(TE85LFCT
HN2A01FU-Y(TE85LFDKR
HN2A01FU-Y(TE85LFTR

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
RoHS Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
toshiba-semiconductor-and-storage

TPCP8901(TE85L,F,M

TRANS NPN/PNP 50V 1A PS8

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1B04F(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCP8701(TE85L,F,M

TRANS 2NPN 80V 3A PS8

toshiba-semiconductor-and-storage

HN4C06J-BL(TE85L,F

TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A