Số sản phẩm của nhà sản xuất:
HN4A56JU(TE85L,F)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
HN4A56JU(TE85L,F)-DG
Mô tả:
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 60MHz 200mW Surface Mount USV
Hàng tồn kho:
12889357
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
HN4A56JU(TE85L,F) Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 PNP (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
150mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Công suất - Tối đa
200mW
Tần số - Chuyển đổi
60MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Gói thiết bị nhà cung cấp
USV
Số sản phẩm cơ sở
HN4A56
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
HN4A56JU(TE85LF)TR
HN4A56JU(TE85LF)DKR
HN4A56JU(TE85LF)CT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
RoHS Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
HN2C01FU-Y(TE85L,F
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN1C01FYTE85LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
HN2C01FEYTE85LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
