Số sản phẩm của nhà sản xuất:
HN4B04J(TE85L,F)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
HN4B04J(TE85L,F)-DG
Mô tả:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Hàng tồn kho:
12891332
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
HN4B04J(TE85L,F) Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
NPN, PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
500mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
30V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
70 @ 100mA, 1V
Công suất - Tối đa
300mW
Tần số - Chuyển đổi
200MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SC-74A, SOT-753
Gói thiết bị nhà cung cấp
SMV
Số sản phẩm cơ sở
HN4B04
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
HN4B04JTE85LF
HN4B04J(TE85LF)CT
HN4B04J(TE85LF)DKR
HN4B04J(TE85LF)TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMMT3904W-7
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
HN1A01F-Y(TE85L,F)
TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
HN1C01FE-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
