Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RN1112(T5L,F,T)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RN1112(T5L,F,T)-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Hàng tồn kho:
12890901
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
H2c2
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RN1112(T5L,F,T) Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Định Sẵn Đơn
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
NPN - Pre-Biased
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50 V
Điện trở - Đế (R1)
22 kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Tần số - Chuyển đổi
250 MHz
Công suất - Tối đa
100 mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SC-75, SOT-416
Gói thiết bị nhà cung cấp
SSM
Số sản phẩm cơ sở
RN1112
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
RN1112(T5LFT)CT
RN1112(T5LFT)DKR
RN1112(T5LFT)TR
RN1112T5LFT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RN2106ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN2401,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN1414,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI