Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RN1707,LF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RN1707,LF-DG
Mô tả:
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Hàng tồn kho:
8711 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12890744
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RN1707,LF Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
10kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
47kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
250MHz
Công suất - Tối đa
200mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Gói thiết bị nhà cung cấp
USV
Số sản phẩm cơ sở
RN1707
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
RN1707LFTR
RN1707,LF(B
RN1707LFCT
RN1707LFDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RN2708,LF
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
RN2903FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
DDA124EH-7
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
