Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RN1903FE,LF(CT
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RN1903FE,LF(CT-DG
Mô tả:
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Hàng tồn kho:
3000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12889265
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
QsT6
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RN1903FE,LF(CT Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
22kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
22kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
250MHz
Công suất - Tối đa
100mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SOT-563, SOT-666
Gói thiết bị nhà cung cấp
ES6
Số sản phẩm cơ sở
RN1903
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
RN1903FELF(CTCT
RN1903FE,LF(CB
RN1903FELF(CTDKR
RN1903FELF(CTTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
PEMH1,115
NHÀ SẢN XUẤT
Nexperia USA Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
4000
DiGi SỐ PHẦN
PEMH1,115-DG
ĐƠN GIÁ
0.07
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RN4907FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2967FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2604(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6