Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RN1962FE(TE85L,F)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RN1962FE(TE85L,F)-DG
Mô tả:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Hàng tồn kho:
3815 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12891334
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RN1962FE(TE85L,F) Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch transistor lưỡng cực, đã được định hướng trước
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50V
Điện trở - Đế (R1)
10kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
10kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Tần số - Chuyển đổi
250MHz
Công suất - Tối đa
100mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
SOT-563, SOT-666
Gói thiết bị nhà cung cấp
ES6
Số sản phẩm cơ sở
RN1962
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
RN1962FE(TE85LF)TR
RN1962FE(TE85LF)DKR
RN1962FETE85LF
RN1962FE(TE85LF)CT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
RN1102MFV,L3F
NHÀ SẢN XUẤT
Toshiba Semiconductor and Storage
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
13398
DiGi SỐ PHẦN
RN1102MFV,L3F-DG
ĐƠN GIÁ
0.02
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RN1503(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1704,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
RN4902,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
