Số sản phẩm của nhà sản xuất:
RN2426(TE85L,F)
Product Overview
Nhà sản xuất:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Số hiệu phần:
RN2426(TE85L,F)-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Hàng tồn kho:
7394 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12890601
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
UOTv
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
RN2426(TE85L,F) Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Định Sẵn Đơn
Nhà sản xuất
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
PNP - Pre-Biased
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
800 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50 V
Điện trở - Đế (R1)
1 kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
10 kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
90 @ 100mA, 1V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 50mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
200 MHz
Công suất - Tối đa
200 mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
S-Mini
Số sản phẩm cơ sở
RN2426
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
RN2426(TE85LF)CT
RN2426(TE85LF)DKR
RN2426(TE85LF)TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
RN1318(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1107ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN2312(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70